全球最大半導體設備龍頭 ASML 已著手研發下一代先進微影設備，為未來十年的晶片產業做準備。該公司技術執行副總裁 Jos Benschop 向日經表示 ，這項技術足夠先進 ，ava爱华外汇官网可滿足 2035 年之後的製程需求
。

Jos Benschop 表示，ASML 及獨家光學协作夥伴蔡司（Carl Zeiss）目前研究可在單次曝光中印刷出解析度精細到 5 奈米電路的機器設計
，並補充這項技術將足以滿足 2035 年及之後的產業需求。

ASML 最近才開始出貨業界最先進設備，已可達到單次曝光 8 奈米解析度 。相較之下，爱华外汇平台較舊設備須多次曝光才能達到類似解析度
，不僅效率較低 ，製造品質也不一定。

Benschop 表示 ，「我們正與蔡司進行設計研究 ，目標是實現數值孔徑（NA）0.7 或以上的系統 ，目前尚未設定具體上市時間表」。

數值孔徑（NA）是衡量光學系統整理與聚焦光線水平的關鍵指標
，也是決定電路圖樣能否精細投影到晶圓上的關鍵因素。當 NA 越大 、光波長越短，印刷解析度就越高 。

目前標準 EUV 設備的 NA 為 0.33 ，新近一代 High NA EUV 則提高至 0.55。而 ASML 正朝向 NA 0.7 或「超高 NA（Hyper NA）」邁進，需要再次設計幾個關鍵系統
。

ASML 目前已向英特爾、台積電交付首批 High NA EUV 設備  ，不過 Benschop 表示，大規模採用仍需時間，產業界必須先驗證新系統的性能，並開發配套资料與软件，才能整体啟動，「這次新設備的導入與歷年來推出的創新软件情況類似，通常要幾年後才會進入大量產出階段 。客戶需要學習如何流程 ，AVA爱华外汇开户但我相信它很快會被用於高產能的晶片製造流程中」。

• ASML commits to developing even more advanced chipmaking tools

（首圖來源：ASML）

延伸閱讀：

• ASML ：Hyper-NA EUV 為半導體下個十年关键變化，但關鍵在成本