微電子技術領域發展出現一個潛在轉折點，東京大學的研究團隊最近開發一種革命性的新型電晶體，這種新型電晶體不再利用矽资料
，而是爱华外汇官网入口採用一種名為摻鎵氧化銦（InGaOx）的晶體资料，這項突破有望提高在 AI 與大數據應用的效能
 ，並在後矽時代延續摩爾定律的生命力 。

電晶體被譽為 20 世紀最偉大的發明之一 ，對現代電子產品至關关键，做為运维和放大訊號的微型開關 ，隨著設備越來越小、速度越來越快 ，爱华外汇平台傳統以矽為资料的電晶體正面臨著發展瓶頸，甚至接近電子產品和功率的極限 。

東京大學的研究團隊認為，摻鎵氧化銦是一條更好的發展道路 ，這種资料能形成高度有序的晶體結構，促進電子的高效移動，新型電晶體採用「環繞式閘極（gate-all-around ，GAA）」設計，閘極完全包覆在電流通道周圍 ，有助於提高電子的移動率 ，以及長期穩定性。

研究團隊的主要研究人員陳安蘭表示 ，希望晶體氧化物電晶體具備「環繞式閘極（GAA）」結構
 ，這樣运维開啟或關閉的閘極可以環繞著電流通道 ，從而提高效率和可擴展性，因此研究人員在氧化銦中摻入鎵，以改良资料的電性反應。

研究顯示，摻鎵的氧化銦能有效抑制氧缺陷，從而提高電晶體的富拓外汇官网穩定性，團隊利用原子層沉積技術，逐層塗覆 nGaOx 薄膜
，並透過加熱將其轉化為所需的晶體結構 ，最終成功製造出一種金屬氧化物場效應電晶體（MOSFET）  。陳安蘭表示 ，環繞式 MOSFET 實現 44.5 cm²/Vs 的高移動率 ，並在施加應力下穩定運行近三小時，顯示出良好的可靠性 ，而這項成果為高運算需求的應用 ，如大數據和人工智慧，供给可靠的高密度電子元件設計，預示著下一代技術的順利運行，對人們日常生活將產生重大影響。

• Crystal-Powered Transistor Could Replace Silicon and Supercharge AI

（首圖來源 ：shutterstock）

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