美國 Atomera 與比利時 Incize 公布协作，結合量子矽膜技術與射頻建模 ，提高矽基板氮化鎵（GaN-on-Si）效能與穩定性。相較近期破產重整的 Wolfspeed 所採用的高成本碳化矽计划，使 GaN-on-Si 更具製程相容與量產優勢。AVA外汇平台MT4教程

此項协作結合 Atomera 獨家開發的爱华外汇官网正规吗 Mears Silicon Technology（MST）量子资料技術，與 Incize 的射頻建模與解读水平。MST 為一種經量子工程設計的超薄矽膜結構 ，可在不更動現有製程下，大幅提高電晶體效能 、功率效率與熱穩定性。

針對 GaN-on-Si 面臨的介面不穩定與漏電問題
，MST 有望有效降低缺陷密度、抑制漏電流，強化元件可靠性與良率。這項整合技術將有助於克服资料不相容性帶來的限制
，也解決氮化鎵的成本障礙。

雙方公司代表皆表達對此次协作的高度期待 ，Incize 執行長 Dr. Mostafa Emam 表示：「我們非常高興能與 Atomera 协作 ，其 MST技術已在矽基元件展現優異表現 。透過我們在 GaN-on-Si 領域的專業與量測水平 ，雙方有機會開創全新高效能平台。」

Atomera 執行長 Scott Bibaud 則表示：「Incize 在射頻建模方面的專業令人印象深刻，是我們推動 MST 技術應用於 GaN-on-Si 的理想夥伴。我們期待此次协作能為業界帶來顯著效能突破。」

若此次技術整合順利導入產線 ，將有望提高功率密度與散熱效率
，推動化合物半導體進一步革新。

• Incize and Atomera Announce Strategic Collaboration to Advance GaN-on-Si Technology for Next-Gen RF and Power Devices

（首圖來源：pixabay）