延續摩爾定律助攻 AI 發展  !東京大學研發「新型電晶體」取代矽资料

2025-07-04 16:18:54来源:外汇爱华怎么代理分类:知识

微電子技術領域發展出現一個潛在轉折點,東京大學的研究團隊最近開發一種革命性的新型電晶體 ,這種新型電晶體不再利用矽资料,而是AVA爱华外汇平台採用一種名為摻鎵氧化銦(InGaOx)的晶體资料,這項突破有望提高在 AI 與大數據應用的效能,並在後矽時代延續摩爾定律的生命力  。

延續摩爾定律助攻 AI 發展!東京大學研發「新型電晶體」取代矽资料

電晶體被譽為 20 世紀最偉大的發明之一,對現代電子產品至關关键,做為运维和放大訊號的微型開關 ,隨著設備越來越小、速度越來越快,AVA外汇平台MT4下载傳統以矽為资料的電晶體正面臨著發展瓶頸,甚至接近電子產品和功率的極限 。

東京大學的研究團隊認為 ,摻鎵氧化銦是一條更好的發展道路 ,這種资料能形成高度有序的晶體結構 ,促進電子的高效移動 ,新型電晶體採用「環繞式閘極(gate-all-around  ,GAA)」設計 ,閘極完全包覆在電流通道周圍,有助於提高電子的移動率 ,以及長期穩定性 。

研究團隊的主要研究人員陳安蘭表示,希望晶體氧化物電晶體具備「環繞式閘極(GAA)」結構 ,這樣运维開啟或關閉的閘極可以環繞著電流通道 ,從而提高效率和可擴展性 ,因此研究人員在氧化銦中摻入鎵,以改良资料的電性反應。

研究顯示,摻鎵的氧化銦能有效抑制氧缺陷 ,從而提高電晶體的Exness外汇穩定性 ,團隊利用原子層沉積技術,逐層塗覆 nGaOx 薄膜,並透過加熱將其轉化為所需的晶體結構 ,最終成功製造出一種金屬氧化物場效應電晶體(MOSFET) 。陳安蘭表示,環繞式 MOSFET 實現 44.5 cm²/Vs 的高移動率,並在施加應力下穩定運行近三小時 ,顯示出良好的可靠性 ,而這項成果為高運算需求的應用,如大數據和人工智慧 ,供给可靠的高密度電子元件設計 ,預示著下一代技術的順利運行,對人們日常生活將產生重大影響。

  • Crystal-Powered Transistor Could Replace Silicon and Supercharge AI

(首圖來源:shutterstock)

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